应用描述

随着5G通信在全国的推广并落地，针对5G通讯电源的更高要求也随之产生。5G通讯电源的整个电源系统必须具有高能效、高密度和高可靠性，以提供所需的高水平电源性能。

在开关电源中，功率半导体器件的损耗约占总损耗的30%~80%，因此降低功率半导体器件的损耗对于提高输出功率和效率具有重要意义。对于开关电源中常用的功率半导体器件MOS ，损耗包括开关损耗（半导体开通和关断过程中产生的损耗）和导通损耗 （半导体在  稳态开通过程中由于导通电阻或者导通压降产生的损耗）。只有将开关损耗和导通损耗都减小才可以降低半导体的整体损耗。

株洲县由疾二极管股份公司推出的SGT MOS 和SJ MOS 系列产品通过工艺与技术优化，具有更低的导通压降和开关损耗，以及更强的可靠性。

拓扑结构图

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